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高橋 真*; 藤本 洋介*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 有賀 哲也*
no journal, ,
清浄Ru(0001)表面を超音速酸素分子線で酸化したときの各酸素被覆率におけるRu3d5/2の光電子スペクトルを測定した。超音速分子線の並進運動エネルギーは0.5eVとした。Doniach-Sunjic関数を用いてピーク分離を行い、各成分をそれぞれBulk, S1, S1(2O), S1(3O)とした。S1はRu最表面の成分、S1(2O)とS1(3O)はそれぞれ酸素原子が2個又は3個結合した最表面Ru原子の成分である。また、Bulk成分には酸素原子が1個結合した最表面Ru原子の成分S1(1O)も含まれている。酸素の照射量に対する各成分のピーク面積強度の変化から0.6ML付近で部分的に酸化Ruの島が存在することが示唆された。今回得られた結果は大きな並進運動エネルギーを与えたことと関連していると考察した。また、ノズル温度を300及び1400Kに設定して得たそれぞれの酸素吸着曲線から、どちらも並進運動エネルギーを0.5eVに設定しているにもかかわらず、酸素速度はノズル温度を高くすることで増大するという結果が得られた。このことから酸化速度の増大は分子振動の励起により解離吸着が促進されたものと結論した。
佐伯 盛久; 大場 弘則; 山本 博之; 横山 淳
no journal, ,
Pulsed laser deposition (PLD)法とは固体材料をレーザー蒸発により気化し、蒸発物を基板に蒸着させて薄膜を形成する技術であるが、PLDを気体試料中で行うことにより、蒸発物と気体試料を反応させて化合物薄膜を製作することができる。この手法は反応性PLD法と呼ばれ、組成比を制御した化合物薄膜を製作するのに適した手法であると期待される。しかし、反応性PLD法における化合物薄膜形成過程については不明な点が多く、能動的に化合物薄膜の組成比や膜厚,構造を制御することはまだできていない。本研究ではアセチレンガス中でシリコンのレーザー蒸発を行い、生成するa-Si(1-x)Cx:H薄膜の組成比や膜厚,構造の空間分布を調べることにより反応性PLD法における化合物薄膜形成過程について知見を得たので報告する。
志賀 基之; 立川 仁典*
no journal, ,
ab initio QM/MM分子動力学法は、ab initio法により非経験的な力場を用いる小さな部分領域(QM)と、経験的な力場を用いる大きな部分領域(MM)とを統合する分子動力学法である。これは、分子の化学結合を扱う量子化学と分子集合体の構造ゆらぎを扱う分子シミュレーションの長所をあわせ持ち、液体の内部,固体の表面,生体高分子の中など凝集相における分子の化学的特性や電子物性を調べるのに有効な方法として、広い分野で期待されている。しかしながら、この方法には計算に多大な時間がかかるという欠点がある。本研究ではこれを解決する一つの手段として、ab initio QM/MM法に多重時間スケール法を応用することについて述べる。